Na沾污SiNX膜对GaAs器件击穿特性的影响
击穿电压是GaAsFET和异质结器件的重要性能指标之一,影响它的因素很多,表现沾污是其中的一个因素.文章的研究对象是通常的GaAsFET和异质结器件表面,上边覆盖的是PECVD生长的SiNX钝化薄膜,用SIMS方法对表面沾污状况进行了检测,对击穿电压与表面沾污之间的关系进行了仔细的研究,发现Na沾污和软击穿之间有明显的对应关系.实验表明,SiNX薄膜和GaAs等表面上的Na沾污急剧增加了表面漏电流,Na沾污SiNX钝化膜可能是导致GaAsFET和异质结器件软击穿的关键因素之一.
击穿 钝化 沾污 异质结器件 硫纯化 二次离子质谱仪
李效白 马农农 王民娟 韩象明 李云
专用集成电路国家重点实验室 电子工业专用材料质量监督检测中心
国内会议
成都
中文
367-370
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）