低In组分InxGa1-xAs/GaAs自组织量子点的MBE生长

摘要：

我们用MBE生长了低组分In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs量子点(x=0.3和0.5),反射高能电子衍射仪(RHEED)显示了良好的2×4再构向三维生长的点状图象转化的过程.同时,原子力显微镜(AFM)实验表明,确实形成了低组分In<,x>Ga<,1-x>As/GaAs量子点,其点密度在10<”10>数量级范围内.

关键词： 自组织生长 InGaAs/GaAs 分子束外延生长 量子点材料

作者: 段瑞飞 曾一平 孔梅影 张昉昉 朱战平 王保强 李灵霄

作者单位: 中国科学院半导体研究所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 110-111

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）