Si衬底上用MBE方法生长InAs量子点

摘要：

本文采用分子束外延设备,实现了在Si衬底上直接生长InAs量子点.在生长过程中,通过RHEED观察到了S-K生长模式.

关键词： InAs量子点 分子束外延生长 Si衬底

作者: 张昉昉 曾一平 李晋闽 王保强 朱战平

作者单位: 中国科学院半导体研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 108-109

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）