3微米In(Ga)As/GaAs自组织量子点材料与发光特性

摘要：

本文利用AFM,PL谱等方法对In<,x>Ga<,1-x>As(0≤x≤0.5)自组织量子点的分子束外延生长及发光特性进行了系统研究,摸清了各种生长条件下量子点的形成质量.

关键词： 量子点材料 InGaAs/GaAs 分子束外延生长 发光特点

作者: 牛智川 王晓东 苗振华 封松林

作者单位: 中国科学院半导体研究所—超晶格国家重点实验室(北京) 中国科学院上海冶金研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 106-107

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）