室温准连续2μm脊波导AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器
本文报导了用固态源分子束外延生长的脊波导2μm AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱激光器.
激光器材料 分子束外延生长 AlGaAsSb/InGaAsSb 多量子阱激光器 半导体材料
林春 李爱珍 郑燕兰 张永刚
中国科学院信息功能国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)
国内会议
贵阳
中文
104-105
2001-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
激光器材料 分子束外延生长 AlGaAsSb/InGaAsSb 多量子阱激光器 半导体材料
林春 李爱珍 郑燕兰 张永刚
中国科学院信息功能国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)
国内会议
贵阳
中文
104-105
2001-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)