基于新型全固源分子束外延技术的1.55μm InAsP/InGaAsP应变多量子阱激光器

摘要：

本文利用新型全固源分子束外延技术,对1.55μm波段的InAsP/InGaAsP应变多量子阱材料的生长进行了研究.在此基础上生长了多量子阱激光器结构,制作的氧化物条形激光器实现了室温脉冲激射,波长为1563nm.这是国际上首次基于全固源分子束外延的1.55μm波段InAsP/InGaAsP多量子阱激光器的报道.

关键词： 分子束外延 InAsP/InGaAsP 多量子阱材料 激光器

作者: 郝智彪 任在元 何为 罗毅

作者单位: 集成光电子学国家重点实验室·清华大学电子工程系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 100-101

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）