GaAs SOI衬底上PHEMT器件特性演示

摘要：

为了验证GaAs SOI的优势,本文利用AlAs氧化制备的SOI GaAs(001)衬底,生长了PHEMT结构材料,并进行了材料特性和器件特性分析.

关键词： 晶体管 PHEM材料 直流特性 器件特性 GaAs SOI衬底

作者: 贾海强 陈弘 王文冲 王文新 李卫 黄绮 周均铭

作者单位: 凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 96-97

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）