用MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT直流特性研究

摘要：

本文报道了MBE技术生长的GaAs基InAlAs/InGaAs MMHEMT的研制过程和器件的直流性能.该器件的直流特性超过了相同的材料和工艺条件下GaAs基PHEMT水平,可应用于发展微波毫米波器件及其MMIC.

关键词： 分子束外延生长 GaAs基 InAlAs/InGaAs 场效应器件 直流特性 器件结构 制作工艺

作者: 李献杰 敖金平 曾庆明 刘伟吉 赵永林 徐晓春 梁春广

作者单位: 信息产业部电子第13研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 94-95

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）