MBE生长InGaAs/AlGaAs量子线FET材料

摘要：

本文介绍了采用自组织工艺法制备,InGaAs/GaAs量子线的工艺方法和原理,通过原子力显微镜和低温偏振光致发光表征了量子线的形貌结构和光学性质,研制了InGaAs/AlGaAs FET结构材料,并制作了FET器件.

关键词： 分子束外延生长 InGaAs/AlGaAs量子线 自组织工艺法 量子线结构 光学特性

作者: 张文俊 闫发旺 崔立奇

作者单位: 信息产业部电子第13研究所(石家庄)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 92-93

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）