砷化镓高频PHEMT小功率晶体管

摘要：

砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于13V,在20GHz下最大可用增益8dB,X波段输出功率0.8W/mm,可应用于22GHz以下的窄带功率放大器和18GHz以下的宽带功放设计.

关键词： 砷化镓 高电子迁移率 功率晶体管 制作工艺 微波特性

作者: 李拂晓 蒋幼泉 高建峰 黄念宁 徐中仓

作者单位: 南京大学器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 88-89

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）