新的Inp基InGaAs/InAlAs绝缘栅P-HEMT的试验

摘要：

本文对采用新方法试制的IG-PHEMT的DC和RF特性进行了评价,并介绍了器件的简单制造工艺.

关键词： 晶体管 电气特性 制造工艺 界面态控制

作者: 谢永桂

作者单位: 中国航天工业总公司西安微电子技术研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 86-87

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）