高效率GaAs/InGaAs HFET功率放大器
本文报告了研制的GaAs/InGaAs异质结功率FET(HFET),该器件是在常规的高-低-高分布GaAs MESFET的基础上,在有源层的尾部引入I-InGaAs层.采用HFET研制的两级C波功率放大器,在5.0～5.5GHz带内,当V<,ds>=5.5V时,输出功率大于32.31dBm(0.177W/mm),功率增益大于19.3dB,功率附加效率(PAE)大于38.7﹪,PAE最大达到49.4﹪,该放大器在V<,ds>=9.0V输出功率大于36.65dBm(0.48W/mm),功率增益大于21.6dB,PAE典型值35﹪.
功率放大器 器件结构 工艺技术 GaAs/InGaAs
陈堂胜 杨立杰 王泉慧 李拂晓 陈效建
南京电子器件研究所
国内会议
贵阳
中文
84-85
2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）