P型量子阱太赫兹振荡器的研究

摘要：

近年来,负有效质量半导体及其在太赫兹振荡器的应用研究已成为十分活跃的前沿领域,本文将从理论上研究直流偏置下的NEMP<”+>PP<”+>二极管的自振荡特性及自振荡频率对直流偏置的依赖性.

关键词： 太赫兹振荡器 自振荡频率 直流偏置

作者: 曹俊诚 李爱珍 封松林

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 82-83

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）