直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

摘要：

用MgB<,2>靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO<,3>衬底上原位一次性得到了MbB<,2>超导薄膜,其起始转变温度为33K,零电阻温度为15K.

关键词： 超导薄膜 直流磁控溅射 二元金属 原位制备

作者: 马平 刘乐园 张升原 王昕 谢飞翔 聂瑞娟 王守证 戴远东 王福仁

作者单位: 人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国超导电子器件学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 2-5

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）