SOI材料制备技术

为了适应高可靠和抗核加固集成电路的应用需要,以及满足硅圆片大直径化的需要,采用SDB(Silicon Wafer Direct Bonding)方法,制作出顶层单晶硅厚度大于5μm的SOI结构材料.结合横向隔离技术,实现电路元件间的全介质隔离,并成功应用于抗辐射加固双极型等电路当中,取得了良好效果.
SOI材料 制备技术 SDB方法
毛儒焱 冯建 谈长平 邹修庆 陈洪波
信息产业部电子第二十四所(重庆)
国内会议
昆明
中文
311-313
2001-04-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)