会议专题

SOI材料制备技术

为了适应高可靠和抗核加固集成电路的应用需要,以及满足硅圆片大直径化的需要,采用SDB(Silicon Wafer Direct Bonding)方法,制作出顶层单晶硅厚度大于5μm的SOI结构材料.结合横向隔离技术,实现电路元件间的全介质隔离,并成功应用于抗辐射加固双极型等电路当中,取得了良好效果.

SOI材料 制备技术 SDB方法

毛儒焱 冯建 谈长平 邹修庆 陈洪波

信息产业部电子第二十四所(重庆)

国内会议

第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

昆明

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311-313

2001-04-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)