SOI结构γ-Al2O3/Si界面处碳、氧沾污处理和俄歇分析

摘要：

本文主要讨论了在γ-Al<,2>O<,3>结构材料界面处出现的碳、氧沾污问题,经过相应工艺改进,做Si衬底清洁处理后,通过俄歇分析证明,取得良好的结果.

关键词： SOI材料 γ-Al<,2>O<,3>/Si 碳氧沾污 杂质清除 俄歇分析

作者: 王俊 谭利文 邓惠芳 王建华 王启元

作者单位: 中国科学院半导体所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 308-310

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）