低剂量SIMOX圆片研究

摘要：

用剖面透射电镜、高分辨电镜以及化学增强腐蚀法和Cu-plating表征了低剂量SIMOX圆片的结构特征.结果显示,选择恰当的剂量能量窗口,低剂量SIMOX圆片表层Si单晶质量好、线缺陷密度低、埋层厚度均匀、埋层硅岛密度低、且硅/二氧化硅界面陡峭.这些研究表明,低剂量SIMOX圆片制备工艺是很有前途的SOI制备工艺.

关键词： SOI材料 SIMOX圆片 注入能量 剂量

作者: 陈猛 陈静 张峰 李炜 徐彦芬 陈可炜 王湘 刘相华 王曦

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 305-307

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）