会议专题

纳米孔氧化埋层SOI材料制备探索

本研究利用纳米空腔时对氧吸附的特性,探索新的SOI制备技术,氦-氧共注入纳米孔氧化埋层SOI.

SOI材料 制备技术 氦-氧共注入

张苗 刘卫丽 安正华 林成鲁

中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室(上海)

国内会议

第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

昆明

中文

301-304

2001-04-12(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)