多孔硅在HFH2O2溶液中的腐蚀行为及外延层转移制备SOI的研究
对多孔硅在HF/H<,2>O<,2>溶液的腐蚀行为进行了研究,与通常硅的腐蚀行为不同,多孔硅以孔内腐蚀为主,最后硅柱一起坍塌,多孔硅相对于硅有很高的腐蚀选择率.用多孔硅外延层转移的方法成功地制备出了SOI材料,卢瑟福背散射/沟道谱(RBS/C)扩展电阻(SPR)的结果表明获得的SOI材料上层硅具有很好的单晶质量,电阻率分布均匀,上层硅与氧化硅埋层界面陡直.
多孔硅 腐蚀行为 外延层转移法 SOI材料 材料制备
刘卫丽 多新中 张苗 沈勤我 王连卫 林成鲁
中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海)
国内会议
昆明
中文
296-300
2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）