离子束增强沉积法合成AlN薄膜

摘要：

利用离子束增强沉积(IBED)技术成功地合成了大面积均匀AlN薄膜,分析表明薄膜中N/Al比为0.402:1,膜厚约250nm,表面电阻高于10<”8>Ω,绝缘性能良好可代替SiO<,2>作为SOI材料的绝缘埋层.

关键词： 离子束增强沉积 AlN薄膜 制备技术

作者: 门传玲 郑志宏 多新中 徐政 林成鲁

作者单位: 同济大学材料学院微电子所(上海),中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海) 中国科学院上海冶金所信息功能材料国家重点实验室(上海) 同济大学材料学院微电子所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 292-295

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）