深亚微米FD-SOI器件表面势模型

摘要：

对全耗尽SOI器件硅膜中的纵向电位分布采用准三阶近似,求解了亚阈区的二维泊松方程,得到了全耗尽器件正背界面的表面势公式;通过引入修正参数,建立了深亚微米全耗尽器件正背界面的表面势模型.该模型能够直观地反映DIBL效应,并且整个模型公式是基于物理的,不需要引入无穷级数或迭代过程,计算量小,十分适合EDA集成器件模型的需要.

关键词： FD-SOI器件 表面势模型 电位分布 硅膜

作者: 程彬杰 邵志标 于忠 时廷

作者单位: 西安交通大学(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 286-291

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）