-5V背栅偏压下薄膜全耗尽SOI PMOSFET导电机理的理论分析

摘要：

我们由TF FD AM SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出了各种条件下漏源电流的解析表达式,为今后的高温SOICMOS数字电路的实验研究奠定了一定的理论基础.

关键词： 背栅偏压 导电机理 SOI PMOSFET材料

作者: 张海鹏 宋安飞 魏同立

作者单位: 东南大学微电子中心(南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 282-285

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）