AlGaAs/InGaAs/GaAs PHEMT分子束外延材料生长研究

摘要：

本文着重探讨了单δ<,Si>平面掺杂Al<,0.30>Ga<,0.70>As/Ga<,0.8>In<,0.2>As/GaAs PHEMT材料的生长工艺及工艺优化.

关键词： 化合物半导体材料 分子束外延生长 生长工艺 GaAs基 晶体管

作者: 陈昊 商耀辉 武一宾

作者单位: 信息产业部电子13所(石家庄市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 35-37

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）