InP基功率HEMT结构材料分子束外延生长研究

摘要：

本文主要从功率角度探讨了分子束外延Al<,0.48>In<,0.52>As/Ga<,0.47>In<,0.53>As/InP HEMT结构材料生长,其典型数据为M<,300K>～8400cm<”2>/V.S,2DEG≥4.5E12cm<”-2>.给出了HEMT的结构参数及定温Hall-van der Pauw法测试结果.

关键词： 化合物半导体材料 分子束外延生长 场效应器件 结构参数 IP基

作者: 武一宾 商耀辉 陈昊

作者单位: 信息产业部电子13所(石家庄市)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 33-34

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）