In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MM-HEMT材料MBE生长

摘要：

采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de Hass(SdH)振荡测试,并通过有限差分法自恰求解薛定谔方程的泊松方程,给出了材料的导带结构、费米能级和量子阱中的子带波函数,完成了PL谱中峰的指认工作.

关键词： 分子束外延生长 MM-HEMT材料 导电结构 振荡测试 GaAs衬底

作者: 崔利杰 王保强 朱战平

作者单位: 中国科学院半导体所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 31-32

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）