InGaAs沟道层中In组分含量对MM-HEMT材料性能的影响

摘要：

采用MEB技术制备了一系列沟道层不同In组分含量的MM-HEMT材料.结果发现,随In组分含量的变化,材料的电子迁移率有一最佳值,对这一结果给予了解释.

关键词： 分子束外延技术 MM-HEMT材料 GaAs基 材料性能 In组分含量

作者: 崔利杰 朱战平 王保强 张昉昉 曾一平 李灵霄 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体所新材料部(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 29-30

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）