GSMBE生长InGaP/GaAs HBT微结构材料研究

摘要：

制作高性能HBT的关键之一是获得界面质量优良的半导体超薄异质结构材料,分子束外延是生长HBT微结构材料的最先进技术之一.本文报道了GSMBE技术生长In<,0.49>Ga<,0.51>P/GaAs HBT微结构材料及其原型器件研究.

关键词： 分子束外延生长 InGaP/GaAs 双极晶体管 半导体材料

作者: 陈晓杰 陈意桥 陈建新 李爱珍

作者单位: 中国科学院信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 27-28

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）