GaAs基异质结材料MBE生长及应用

摘要：

GaAs是PHEMT材料的有源区是由应变InGaAs层构成,其沟道中电子的平均饱和速度和电子浓度均随铟组份的变化而变化,然后,随着铟组份的提高,会引起器件性能的退化.本文使用LT-GaAs层作为器件的缓冲层,并且优化了应变InGaAs沟道的生长条件,生长出性能良好的PHEMT材料和HFET材料.

关键词： 分子束外延 PHEMT材料 HEFT材料 GaAs基 半导体材料

作者: 邱凯 尹志军 谢自力 方小华 王向武 将朝晖 陈建炉

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 25-26

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）