X射线光刻技术在GaAs IC制造中的应用

摘要：

作者对同步辐射X射线光刻技术,包括掩模、对准技术、光刻工艺及模拟、器件与电路制作进行了研究,已建立起一套较为完整的深亚微米X射线光刻技术,并研制出0.15微米的GaAs PHEMT器件与0.25微米的GaAs实验电路.

关键词： X射线光刻 掩模 GaAs器件 T型栅 光刻技术

作者: 叶甜春 谢常青 陈大鹏 李兵 张绵 赵静

作者单位: 中国科学院微电子中心 信息产业部电子13所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 21-22

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）