分子束外延Ⅲ族氮化物场效应晶体管材料

摘要：

本文报道了使用NH<,3>-MBE技术和PA-MBE在C面蓝宝石上外延高质量GaN以及AlGaN/GaN二准电子气材料的结果.

关键词： 分子束外延 场效应晶体管材料 GaN AlGaN/GaN 半导体材料

作者: 孙殿照 王晓亮 胡国新 王军喜 刘宏新 刘成海 曾一平 李晋闽 林兰英

作者单位: 中国科学院半导体所材料中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 17-18

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）