GaAs SOI衬底上Metamorphic-HEMT材料的制备

摘要：

本文介绍了GaAs SOI衬底上制备MM-HEMT材料的方法.器件结果显示了优良的电荷控制能力,降低了衬底漏电流和1/5噪声.

关键词： GaAs衬底 MM-HEMT材料 制备方法

作者: 周均铭 陈弘 贾海强 王文冲 黄绮

作者单位: 凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 3-5

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）