100Gb/in2以上超高记录分立比特信息存储薄膜的磁性质
未来几年内,计算机硬盘的数据存储密度的增长会遇到磁颗粒的超顺磁性的限制.新一代的分立比特信息存储薄膜有可能突破超顺磁性极限的限制,使信息存储密度达到100Gb/in<”2>以上.本文将用微磁学模拟计算的方法研究密度为258Gb/in<”2>和717Gb/in<”2>由圆柱形单磁畴纳米颗粒组成的垂直记录分立比特薄膜的性质.静磁相互作用和磁晶各向异性对磁性质的影响也将在文中做详细讨论.
信息存储薄膜 微磁学模拟法 磁性质
韦丹
教育部先进材料重点实验室,清华大学材料科学与工程系(北京)
国内会议
兰州
中文
97-98
2001-07-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)