楔形绝缘层磁性隧道结偏压特性的研究
我们通过氧化楔型Al层制备了不同氧化程度(过氧化、全氧化及欠氧化)的磁性隧道结FeNi/AlO<,x>/FeNi.磁电阻偏压特性(bias dependence)表明,随着外加电压的增加,磁性隧道结的TMR(tunneling magmetoreistance)比值将很快地下降”1”.测量表明MR-U曲线在过氧化区域是不对称的,而在全氧化及欠氧化区域都是对称的,且在欠氧化区域,随Al层厚度增加,样品表现出越来越强的偏压特性,即随偏压的增加,TMR比值衰减得越来越快.我们试用化学势劈裂(chemical potential splitting)模型”2”解释以上结果.
磁性隧道结薄膜 偏压性质 化学势劈裂模型
杜军 游彪 盛雯婷 张维 鹿牧 翟宏如 胡安 G.Landry X.H.Xiang J.Q.Xiao
南京大学物理与固体微结构物理国家重点实验室(南京) Department of Physics,University of Delaware,Newark,DE19716,USA
国内会议
兰州
中文
93-94
2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）