层间扩散对NiO/FeNi交换耦合的影响
采用多靶离子束溅射技术制备了NiO(110A)/FeNi(t<,F>A)/Cu(24A)/FeNi(t<,F>A)自旋阀结构的样品,钉扎的FeNi层的交换偏置场H<,E>随t<,F>的减小而增大,但当t<,F><70A,H<,E>随t<,F>的减小而减小.样品磁带回线的测量表明钉扎层的磁矩小于自由层的磁矩,当t<,F>=20A时,钉扎层的磁矩消失,说明NiO和FeNi间有大约20A的扩散.NiO和FeNi间的扩散可能是导致当t<,F><70A H<,E>随t<,F>的减小而减小的原因.
磁性材料 自旋阀结构 磁滞回线 层数扩散 钉扎层 交换偏置 多靶离子束溅射
徐庆宇 倪刚 桑海 都有为
南京大学固体微结构物理实验室(南京)
国内会议
兰州
中文
91-92
2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）