Ni81Fe19薄膜的各向异性磁电阻(AMR)效应
利用射频溅射的方法制备了Ni<,81>Fe<,19>薄膜,研究了不同厚度、不同基片温度、不同真空退火温度对AMR的影响.当膜厚小于300A时,膜厚对AMR的影响较大;当膜厚大于800A时,膜厚对AMR的影响逐渐减小.基片温度、真空退火温度对AMR值的提高至关重要,适当到选择这两个温度能使薄膜内的晶粒变大,晶界面积变小,晶界对传导电子的散射减小,从而电阻率下降,AMR效应提高.我们还研究了缓冲层对AMR的影响,发现某些缓冲层能有效地提高AMR效应.
Ni<,81>Fe<,19>薄膜 磁电阻效应 薄膜厚度 基片温度
王志明 倪刚 徐庆宇 桑海 都有为
南京大学固体微结构物理实验室(南京)
国内会议
兰州
中文
55-56
2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）