场发射类金刚石薄膜阴极阵列的制备及样管的研制
我们利用真空磁过滤弧沉积(Filtered Arc Deposition,FAD)的方法成功地预先生长了金属层的玻璃基底上制备了类金刚石薄膜.通过离子束技术和微细加工工艺的有机结合,通过对类金刚石薄膜的光刻、氧反应离子束刻蚀等一系列步骤,实现了类金刚石薄膜的图形化.我们对带金属界面层的类金刚石薄膜孔洞阵列的电子场发射性能进行了研究,其阈值场强为2.1V/μm,在场强为14.3V/μm时,场发射点密度达到了3.0～3.5×10<”3>/cm<”2>.这是目前国际上类金刚石薄膜范围内的最好结果.在此基础上,我们设计了1×1英寸的矩阵选址单色场发射器件(Field Emission Displays)样管,50×50条电极条组成该样管的选址矩阵,采用阴阳极直接封装法,并获得了成功.
场发射 类金刚石薄膜 直空磁过滤弧沉积 光刻
冯涛 茅东升 李炜 张福民 柳襄怀 王曦 李琼 徐静芳 诸玉坤
中国科学院上海冶金研究所(上海) 华东师范大学电子科学与技术系(上海)
国内会议
成都
中文
312-315
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）