高质量AlxGa1-xAs/GaAs调制掺杂结构的MBE优化工艺生长及其应用

摘要：

用GEN-Ⅱ MBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料.通过对MBE生长工艺中影响GaAs,AlGaAs材料质量的生长关键工艺实验研究,优化了用GEN-Ⅱ MBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构工艺,得到了高质量的Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料.用范德堡法,电化学C-V法和PL谱法研究了该材料,证明该材料具有良好的特性.用该材料研制HEMT器件也有较好的结果.

关键词： 分子束外延 异质结 量子阱 调制掺杂 二维电子气 AlGaAs/GaAs 半导体材料

作者: 谢自力 邱凯 尹志军 方晓华 陈建炉 蒋朝辉

作者单位: 南京电子器件研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 43-44

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）