As压对LT-GaAs/AlGaAs多量子阱光学特性的影响

摘要：

本文讨论了低温生长引入的缺陷对LT-AsGs/AlGaAs光学特性的影响,并通过控制缺陷的种类和密度来改善材料的光学特性.

关键词： 多量子阱材料 GaAs/AlGaAs 低温生长 光学特性

作者: 韩英军 郭丽伟 黄绮

作者单位: 凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 41-42

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）