会议专题

拉曼散射研究低温生长的AlGaAs/GaAs结构特征

本文用拉曼散射实验对低温生长的AlGaAs/GaAs多量子阱光折变材料的特征,缺陷及其内在的相互关系进行了分析和讨论.

多量子阱材料 AlGaAs/GaAs 低温生长 结构特征 拉曼散射实验

郭丽伟 韩英军 胡承勇 黄绮 周均铭

凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京) 超晶格实验室,中国科学院半导体研究所(北京)

国内会议

第六届全国分子束外延学术会议

贵阳

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39-40

2001-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)