低温下生长高质量的GaAs/AlGaAs多量子阱

摘要：

本文给出了一种新的低温生长方面制备具有窄量子阱的GaAs/AlGaAs多量子阱结构,使其具有高电阻率的尖锐的激子特征,实验证明该生长方法对制备高质量的光折变材料是有效的.

关键词： GaAs/AlGaAs 多量子阱材料 低温生长 制备方法

作者: 郭丽伟 韩英军 包昌林 黄绮 周均铭

作者单位: 凝聚态物理中心,中国科学院物理研究所(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国分子束外延学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 38

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）