80nm厚HgBa2CaCu2O6+δ超导薄膜的生长

摘要：

我们采用阳离子交换法制备出非常薄的HgBa<,2>CaCu<,2>(Hg-1212)外延超导薄膜.当厚度为80nm时超导转变温度可达118K,接近Hg-1212相的本征T<,c>值124K.零场下的临界电流密度在温度为5K时为1.1×10<”7>A/cm<,2>.77K时为1.14×10<”6>A/cm<,2>,100K时为2.59×10<”5>A/cm<,2>.

关键词： 超导薄膜 薄膜生长 阳离子交换法

作者: 方兰 路荣涛 何明 阎少林

作者单位: 南开大学电子科学系(天津)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国超导电子器件学术会议

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 28-31

在线出版日期: 2001-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）