氧离子导体La2Mo2O9中与相变有关的内耗

摘要：

用低频内耗的方法研究了多晶氧离子导体La<,2>Mo<,2>O<,9>的高温内耗-温度谱,实验中在840K附近观察到一尖锐内耗峰的出现.分别用0.1、0.5、1.0、2.0和3.0Hz频率以及3、5、7和9K/min升温速率对试样进行了变频和变温测量,结果表明,随着频率的增加,峰温基本保持不变,而峰高降低;随升温速率的增加,峰温移向高温,且峰高增加.DSC测量结果显示,在同一温区范围内有一吸热峰出现,与内耗测量结果相对应.进一步分析表明:DSC和内耗测量的峰温与升温速率的关系均满足Kissinger方程,对应的表观激活能为(5.6±0.1)eV.分析表明La<,2>Mo<,2>O<,9>的高温内耗峰起因于高温晶格畸变,为一级相变内耗峰,并发现La位用w=5﹪、10﹪和15﹪的Ca掺杂能够有效地抑制这一结构相变.

关键词： 相变 氧离子导体 镧锰氧 陶瓷氧化物

作者: 王先平 方前锋 水嘉鹏

作者单位: 中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第六届固体内耗与超声衰减学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 242-244

在线出版日期: 2001-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）