自停止腐蚀工艺的观察

摘要：

本文利用不同浓度的KOH溶液对硼掺杂浓度小于1×10<”19>cm<”-3>时的<100>硅,腐蚀速率为常数,而硼掺杂浓度超过该浓度时,腐蚀迅率迅速下降的特点,来制备薄膜的用此方法可以制备厚度在5μm以下的悬梁结构.

关键词： 自停止腐蚀工艺 硅片腐蚀 半导体器件

作者: 唐圣明 陈思琴 韩明

作者单位: 中国科学院上海冶金研究所(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届全国扫描电子显微学术会议

会议地点: 包头

会议语种:中文

页码: 408-409

在线出版日期: 2001-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）