低频内耗方法研究纳米晶Al块体材料的退火效应
运用低频内耗温度谱和TEM显微观察,系统研究了由含H等离子蒸发制备的粉料经冷压得到的纳米晶Al试样的滞弹性行为及结构演化过程.结果表明:当T<,预退火><823K时,内耗Q<’-1>随温度指数增加;当823K≤T<,预退火>≤893K时,内耗Q<’-1>的温度谱在指数背景上出现分布很宽的弛豫峰P<,0>.该峰远低于经典的粗晶Al的晶界峰;峰的激活能为(1.20±0.05)eV,介于粗晶Al沿晶界扩散的激活能与晶格扩散激活能之间.893K预退火40min后进行85﹪冷轧量变形并经727K退火60min的纳米晶Al,内耗Q<’-1>随温度的变化表现为双弛豫峰P<,1>和P<,2>.P<,1>峰的激活能为(1.22±0.18)eV,P<,2>峰的激活能为(1.53±16)eV.P<,1>峰温和激活能与P<,0>峰相当,P<,2>峰温和激活能与粗晶Al晶界峰相当.TEM显微观察表明纳米晶Al的晶间结构及晶粒形状随预退火和冷变形处理发生了改变.根据上述结果,对预退火冷变形处理引起的纳米晶Al的结构变化和内耗本质进行了探讨.
低频内耗 退火效应 纳米晶铝
陈吉 丛洪涛 卢柯 李广义
中国科学院金属研究所快速凝固非平衡合金国家重点实验室(沈阳) 中国科学院金属研究所材料疲劳与断裂国家重点实验室(沈阳)
国内会议
广州
中文
257-260
2001-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）