PZT铁电陶瓷的低频内耗研究

摘要：

用传统的固态反应法制备了Pb(Zr<,0.52>Ti<,0.48>)O<,3>铁电陶瓷,在低频扭摆上采用强迫振动的方式,在0.05～4Hz的频率范围内测量了PZT铁电陶瓷的内耗温度特征.在室温至350℃的内耗-温度曲线上,290℃和150℃附近分别出现两个弛豫型内耗峰P<,1>和P<,2>,并且在50℃附近观察到一个较低的内耗峰.根据Arrhenius关系,分别计算得到P<,1>的激活能E<,1>=2.09eV,τ<,01>=3×10<’-20>s,P<,2>的激活能E<,2>=1.04eV,τ<,02>=8×10<’-14>s,并且分析了P<,1>和P<,2>内耗峰的机制.

关键词： PZT 铁电陶瓷 低频内耗

作者: 王灿 石云 方前锋 朱震刚

作者单位: 中国科学院固体物理研究所内耗与固体缺陷开放研究实验室(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国第六届固体内耗与超声衰减学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 253-254

在线出版日期: 2001-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）