(27-300℃)宽温区薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件输出特性的研究

摘要：

本文介绍了薄膜全耗尽增强型SOI MOS器件实验样品的结构特点和主要结构参数,给出了在(27-300℃)宽温区输出特性的实验结果和理论分析.研究结果表明,实验样品在(27-300℃)宽温区具有良好的输出特性.

关键词： SOI MOS器件 输出特性 结构参数 导电机理 薄膜全耗尽增强型

作者: 冯耀兰 宋安飞 张海鹏 樊路加 张正璠

作者单位: 东南大学微电子中心(南京) 信息产业部电子24所(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 278-281

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）