薄层SOS材料改性和器件应用进展

摘要：

深亚微米CMOS/SOS器件发展对于厚度为200纳米左右的SOS外延薄膜提出了更高的要求.研究表明,采用固相外延工艺(SPE)改性的硅烷热分解生长SOS薄膜的电学特性有明显提高,材料的迁移率和器件特性有很大改善.固相外延改性后的SOS材料可以应用于CMOS/SOS器件.

关键词： 硅 固相外延 CMOS/SOS器件 SOI材料 材料改性

作者: 聂纪平 徐鼎 谈毅平

作者单位: 上海贝岭股份有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 273-277

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）