智能剥离SOI材料表面缺陷研究

摘要：

本文讨论了利用键合技术形成的SOI材料表面各种键合缺陷的形成机制,以及如何减少这些表面键合缺陷的方法.

关键词： 键合技术 SOI材料 表面缺陷 智能剥离技术

作者: 李映雪 张兴 黄如 许晓燕 罗晏 北京师范大学低能物理研究所(北京) 梁宏 北京师范大学低能物理研究所(北京) 马芙蓉 北京师范大学低能物理研究所(北京)

作者单位: 北京大学微电子研究所(北京) 北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 270-272

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）