离子注入在CMOS/SOI中的应用

摘要：

本文对离子注入技术在CMOS/SOI中的应用进行了详细研究.其中,主要研究了部分耗尽/全耗尽SOI器件在沟道工程---即采用深浅两次注入法.最后,给出实验结果:部分耗尽V<,tn>=1.2V V<,tp>=-0.9V(V<,ds>=0.1V),背沟道开启电压为15V,BV<,dsn>=7.5-9V BV<,dsp>=14-16V,全耗尽V<,tn>=0.7V V<,tp>=-0.8V(V<,ds>=0.1V),背沟道开启电压为18V,BV<,dsn>=4.8-5.3V BV<,dsp>=5-6.3V.

关键词： 离子注入 CMOS/SOI器件 沟道工程

作者: 高文方 周锁京 孙海峰 刘新宇

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 267-269

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）