全耗尽SOI CMOS技术中注Ge硅化物工艺的研究

摘要：

本文对全耗尽SOI CMOS技术中的注Ge硅化物工艺进行了研究.Ge的注入,使Si非晶化,减小了硅化物的形成能量.Ti硅化物在非晶层上形成.与传统的Ti硅化物相比,注Ge硅化物工艺有两个明显的特点:一是硅化物形成温度较低;二是硅化物厚度容易控制.采用注Ge硅化物工艺,使源漏方块电阻约为5.2Ω/□.经过工艺流片,获得了性能良好的器件和电路,其中,当工作电压为5V时,0.8μm 101级环振电路延迟为45ps.

关键词： CMOS器件 注Ge硅化物 SOI技术 工艺分析

作者: 孙海锋 刘新宇 海潮和 徐秋霞 吴德馨

作者单位: 中科院微电子中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议

会议地点: 昆明

会议语种:中文

页码: 258-261

在线出版日期: 2001-04-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）